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松下開發(fā)出使Si基板GaN功率晶體管耐壓提高5倍的技術(shù)
松下半導(dǎo)體解明了GaN功率晶體管的耐壓只取決于GaN膜耐壓的原因，并對(duì)該問(wèn)題產(chǎn)生的原因——流過(guò)硅基板和GaN表面的泄漏電流進(jìn)行了抑制，從而提高了GaN功率晶體管的耐壓。結(jié)果，使GaN膜厚度達(dá)到1.9μm，耐壓達(dá)到2200V，提高至原來(lái)的5倍以上。 [詳情]
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近日，據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，Aachen Fraunhofer學(xué)院的科學(xué)家為飛利浦研制了一種最新的OLED制作方法。新方法的使用將有效的減少原材料的浪費(fèi)。 [詳情]
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